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2008.01.31
カテゴリ：ハードウェア
先端ゲートスタック技術の開発（ｐｄｆ）
日経エレクトロニクス > NE用語 より・・・ ・・・リプレースメント・ゲート・・・ トランジスタの製造方式の一つ。例えば，多結晶Siのダミー・ゲートを作製し，次にトランジスタのソースとドレインを形成する。その後，ダミー・ゲートを除去してその部分にメタル・ゲートを埋め込む手法などがある。 この方式を採ると，メタル・ゲート材料に耐熱性が求められないため，メタル材料の選択が容易になる。耐熱性が不要になるのは，メタル・ゲートの形成より先に1000℃程度の高温処理が必要なソースとドレインの形成を行うためである。メタル・ゲート用の金属材料は配線工程に必要な300℃程度の耐熱性さえ備えていればよい。 Intel社はhigh-k ゲート絶縁膜とメタル・ゲートを用いた，45nm世代のCMOS製造プロセスの実用化のため，リプレースメント・ゲート方式を採用した。 最近、ハードウェア寄りの方も立ち寄ってくださる様なので、この情報を流します（礼）。 ただ・・・私はどちらかといえば、ソフトウェア寄りのタイプですが・・・。 お気に入りの記事を「いいね！」で応援しよう
Last updated
2008.01.31 16:30:24
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