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June 2, 2013
カテゴリ：自作真空管アンプ
ただ今出品中のE83F シングルアンプは、E83FのEsg=120V、Rl=12kΩで動作させてますが、
今度はEsg=150V、Rl=7kΩで設計を進めます。 ドライバーは、6AF4Aロフチンで好結果を得られた、J-FET直結(ロフチン)。 ロフチンはカップリングコンによる色付けが無く、空間表現が向上します。 ドライバーと直結なのでEp、Esgはその分かさ上げが必要で、所要+Bは170Vほど。 このくらいの電圧が得られるPTに既製品は適当なのが無く、 絶縁トランスをチョークインプットで電圧を得、ヒーターは別トランスにします。 電源トランスが2つなので、OPTに誘導が起きない位置を探すのに苦労しそうですが、 何度か作ったことのあるレイアウトをいじってみます。 E83Fはバイアスが2.5Vと浅く、ドライバー段ドレイン電圧ちょっとの変動で、 Ipが大きく変化します。 そこで、J-FETに温度補償を付けてドレイン電圧を一定にするようにしました。 前回のロフチンである6AF4Aでは、終段のバイアスが深いので温度補償は付けてません。 お気に入りの記事を「いいね！」で応援しよう
Last updated
July 13, 2013 12:07:24 PM
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高橋 章久@
