MOS-FET シングルPP 0dBパワーアンプのリニューアルその2
フロントパネルとリアパネルが完成したので、いよいよ放熱器のタップ立てへと作業を進めます。MOS-FETの取り付け位置を決めたら、まず2,5mmのドリルで下穴をあけます。下穴のサイズはJISで決められていて「M3」ネジの場合は2,5mmというわけです。(ちなみにM4の場合は3,2mmの下穴径と規定されています)今回の放熱器は厚みが5mmもあるので、シロートがM3のタップを立てるのはちょっとハードルが高すぎます。というわけでちょっと「手抜き」をします。2,5mmの下穴の上から3,2mmのドリルで深さ約2mmの「座グリ」をいれます。これでネジ部の厚みは約3mmになって作業がうんと楽になる・・と言うわけです。こんなウンチクの結果を写真にしたらこんなカンジです。ついでに「底板」の穴あけ加工も済ませました。こんなカンジです。ケースを組み立てて、基板とトランスをネジ止めして配線を済ませたらこんなカンジです。入力系と出力系の配線が接近しないよう、AC系と入力系の配線が接近しないよう「3次元」で空間イメージしながら、アタマをフル回転させて配線してゆきます。ボケ防止には最高のトレーニングかもしれません。底板に這わせる配線と空中配線が入り乱れたメーカー製ではありえない景色になりました。前から見たらこんなカンジです。後ろから見たらこんなカンジです。ようやく完成しました。これで「MOS-FET パラPP 0dBパワーアンプ」と「ドライブアンプ」合わせて3台が同じケースに収まりましたので、積み上げてセッティングできるようになりました。「シングルPP」対「パラPP」、両者の対決が楽しみです。